先进存储器件研发工程师 Advanced Memory Device R&D Engineer(J21222)

1. 先进材料器件研发： 主导根据项目需求进行先进材料器件研发，推动前沿技术落地； 2. 存储器件性能评估： 系统评估先进存储器件性能，识别风险项并通过实验或仿真完成验证分析； 3. 前沿技术跟踪： 持续跟踪学术界最新研究成果，分析先进材料器件的电学性质和物理机理。 【任职要求】 1. 教育背景与专业知识：博士学历，微电子、物理化学、电路设计等相关专业，具有博士后研究经历； 2. 专业技能与资格：能使用器件仿真、原子级仿真或电路级仿真完成低维材料器件性能分析，能独立完成先进材料器件设计及性能模拟； 3. 行业与专业经验：在半导体领域具有企业应用开发经验，从事过低维材料（如MoS2、CNT等）相关研究并分析其器件性能。

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