岗位描述（节选）
任职要求：
1、本科及以上学历；
2、8年以上碳化硅功率器件开发经验；5年以上功率模块封装工艺经验，3年以上团队管理经验；
3、精通SiC/IGBT模块前道工艺（银烧结、铜线键合、Clip Bonding等），有量产爬坡（Ramp-up）成功案例；
4、熟悉封装失效模式分析（SAM/X-ray/金相切片）；
5、有车规功率模块的的量产经验者优先。
岗位职责：
1、负责SiC功率模块产品设计工作，包括：芯片选型、Layout结构设计、热设计；
2、负责SiC功率模块性能仿真工作，包括：热仿真、电气仿真、机械仿真及多物理场耦合仿真；
3、负责功率模块前沿技术研究，包括双面冷却、相变冷却、GaN技术、Ga2O3技术，并应用于产品开发；
4、基于 SiC 芯片电气特性，设计模块机械结构（壳体、基板、端子等），满足功率密度、散热效率及电气绝缘要求，输出3D和2D图纸指导仿真部门和工艺部门；
5、制定……
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