岗位描述（节选）
职位描述
负责3D芯片全流程工艺开发，包括光刻、刻蚀、沉积、键合、CMP等关键模块的整合与优化，解决工艺兼容性与集成难题。主要职责包括设计并验证新工艺、评估3D堆叠结构的可行性、优化关键制程参数，并协同设计团队解决早期技术瓶颈，确保产品顺利导入量产。推动新材料、新工艺从研发导入量产，确保技术指标达标并实现稳定生产。
职位要求
1、硕士及以上学历，微电子、物理、材料、电子工程等理工科专业。需具备扎实的半导体物理与器件物理基础，熟悉集成电路制造全流程；
2、熟悉从晶圆级到芯片级的3D堆叠全流程，能主导TSV形成、晶圆减薄与键合、临时键合/解键合等关键工艺整合，具备解决3D工艺中翘曲、对准精度、界面空洞、键合界面等系统性问题的能力；
3、能独立设计TEG/Test-key，主导制定TQV方案，能将测试结果与工艺参数（如键合温度、压力、TSV刻蚀速率）进行关联分析，利用统计过程控制（SPC）工具……
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