岗位描述（节选）
1. 技术战略与预研：
-跟踪全球 SiC/GaN 功率芯片埋入式封装技术发展趋势，主导制定公司埋入技术路线图与专利布局策略;
-负责先进埋入式功率模块的架构预研，评估芯片内埋深度、通孔互连可靠性、埋入式磁芯集成等前沿课题，并主导与高校、科研院所的产学研合作项目。
2. 架构设计与结构开发：
-负责埋入型功率模块的系统级封装（SiP）架构设计，重点解决埋入式互连的低寄生电感设计、嵌入式各结构不同材料间热膨胀系数失配应力管理;
-独立负责埋入模块核心零部件的设计、选型与优化，包括：内埋框架、高导热半固化片/介电层、嵌入式铜柱、激光钻孔与电镀铜填充结构的尺寸公差定义。
3. 多物理场协同设计：
-建立埋入模块的电-热-力多物理场耦合设计准则，利用仿真工具优化芯片表面电场分布与埋入界面热阻;
-主导设计评审，针对芯板翘曲控制、树脂填充空洞及重布线层应力等埋入特有风险制定设计规范。
4. 项目管理……
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