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GaN器件研发工程师(博士)

🏢 三安光电📍 湖南省·长沙市💰 30W-50W 元/年👥 招 1 人
🎯 社招 发布于 2026-09-08 来源:中国移动子公司(北森)
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岗位描述(节选)

1. 新型氮化镓功率器件设计,器件结构仿真与应用: a.持续提升产品比导通电阻,降低成本的同时确保器件可靠性与稳定性; b.特殊器件结构设计,Silvaco/Sentaurus器件仿真,结合实际工艺情况,优化版图设计; c.客户需求设计资料维护(设计规范及参考设计)。 2. 氮化镓功率器件电学特性测试,可靠性与寿命评估。 a. GaN功率器件电性(含Datasheet量测)和测试报告、技术说贴的整理; b. 产线器件电性异常处理分析; c. 可靠性测试数据收集整理 (包含器件寿命测试与评估)。 3. 全氮化镓集成电路设计与仿真,驱动、保护模块验证: a. GaN全集成功率平台搭建,驱动、保护模块电路设计; b. SPICE 模型建立;基础电路模型仿真; c. 流片完成后,IC电路实际应用演示。 4.竞品逆向分析, 项目/知识产权: …… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。
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