离子注入工艺研发工程师(J14553)

1.工艺开发与优化：主导3DNAND and Logic 离子注入（IMP），快速热退火（RTA），激光退火（Laser anneal）以及原位水汽氧化（ISSG）等工艺开发及优化，满足器件性能指标。 2.良率与问题解决：协同PIE及YE，分析和解决研发过程中遇到的工艺难题，提高结构稳定性以及产品良率。 3.新设备，新材料和新工艺导入：评估和引入新设备，新材料和新工艺满足3D NAND以及Logic工艺的需求，提升性能，降低成本。 4.设备日常维护以及持续改善：负责相关工艺设备的稳定性维护以及性能持续改善，降低工艺波动，提升设备OEE,满足量产的标准。 5.技术文档与标准化:编写工艺规范、SOP（标准作业程序）及FMEA（失效模式分析）报告等。 6.前沿技术研究：实时跟踪国内外IMP及退火工艺在先进器件的应用，积极布局相关专利。 【任职要求】 1.硕士及以上学历，材料科学、物理、微电子、…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

本站当前在招 3299 个武汉岗位（全城各职能合计），其中 1936 个公开标注了薪资。按这些标注统计：月薪（税前）主流区间 5.5K ~ 8.5K（25~75 分位），中位约 6K，最低 1K、最高 50K。