岗位描述(节选)
1、负责NAND超大规模集成电路系统级芯片的多电压域供电系统设计;
2、承担3D NAND存储高压系统设计,涵盖正负电荷泵电路设计;
3、设计高速IO供电模块,包括LDO及DCDC转换器;
4、搭建前沿3D NAND超大规模集成电路设计所需电源网络;
5、研发3D NAND超大规模集成电路的基准系统,包括带隙基准源、掉电检测器及掉电管理模块;
6、指导版图工程师开展版图规划工作,优化版图性能并缩减芯片面积;
7、设计验证并通过实验室测试。
【任职要求】
1、硕士及以上学历,3~8年相关工作经验;
2、具备扎实的模拟/数模混合电路设计知识和经验,熟悉半导体工艺;
3、熟练掌握Virtuoso、Hspice、Finesim等主流EDA设计工具;
4、拥有存储器电路设计经验优先;具备LDO、稳压器、电荷泵设计经验者优先。
本站当前在招 3299 个武汉岗位(全城各职能合计),其中 1936 个公开标注了薪资。按这些标注统计:月薪(税前)主流区间 5.5K ~ 8.5K(25~75 分位),中位约 6K,最低 1K、最高 50K。
在招岗位较多的企业:长江存储科技有限责任公司 385 个华大智造 116 个华大基因 113 个东风汽车集团有限公司 62 个小米集团 60 个
统计口径:求职者营地实时在招岗位的公开薪资标注,未标注者不计入;区间为 25~75 分位,非薪酬承诺。